IGZO(indiumgalliumzincoxide)为铟镓锌氧化物亦称金属氧化物。IGZO(indiumgalliumzincoxide)为铟镓锌氧化物的简写，非晶IGZO材料是用作新一代薄膜晶体管技术中的闸极层材料。

IGZO材料由日本东京工业大学细野秀雄年所明确提出在TFT行业中应用于，目前该材料及技术专利主要由日本厂商享有，IGZO-TFT技术年所在日本夏普公司构建量产。IGZO是铟(Indium)、镓(Gallium)、锌(Zinc)、氧(Oxygen)四个单词的简写，我们也可以称之为他为铟镓锌氧化物，所以可以说道，IGZO只是一种材料。　　IGZO的由来怎么找到的？　　全球最先找到IGZO具备可在皆一性极好的非结晶状态下构建不逊于结晶状态的电子迁移率特性的是日本东京工业大学前沿技术研究中心应用于陶瓷研究所教授细野秀雄。

　　细野秀雄教授在一次专业研讨会上讲解了IGZO找到的过程：我自1993年起开始研究半透明氧化物半导体材料。最初研究的是结晶材料。

同时，我对非结晶材料也抱有反感兴趣。当时业界普遍认为，还包括硅在内，非结晶材料的电子迁移率比结晶材料要较低3～4个数量级。我实在这种观点不对。

我指出以硅为代表的共价键合性物虽然有这样的性质，但像素氧化物那样的离子融合性物质应当与此有所不同。　　但问题是，离子融合性的物质很难构成非结晶状态。不过，我找到如果从气相材料开始制作的话，就较为更容易构成非结晶状态。

最初，只找到了1种令人感兴趣的材料。通过刻画这种材料的电子轨道，我找到很有可能有大量的非结晶的半透明氧化物。

　　要想要作为TFT(薄膜晶体管)来用于，则必需是可对载体展开掌控的物质。迁移率多少壮烈牺牲一些不要紧，但可随便转换成导电体或者绝缘体这一点至关重要。

有一种电子迁移率较高、且作为半透明导电氧化物也十分出众的代表性材料，这就是IZO(In-Zn-O)。然而，这种材料很难做成绝缘体，无法必要应用于TFT。于是我想到了一个方法，即：含有Ga(镓)后将其做成IGZO。含有了Ga之后，电子迁移率不会降到IZO的1/3，即便如此，仍可确保250px2/Vs的迁移率。

迁移率如果超过250px2/Vs，作为显示器驱动用已足够。　　2003年，J．F．Wager，R．L．Hoffman等人分别在Science，AppliedPhysicsLetters等权威杂志上公开发表了以ZnO-TFT为代表的半透明氧化物薄膜晶体管涉及研究报告，并明确提出半透明电子学(TransparentElectronics)概念。这类氧化物半导体器件具备制取温度较低、载流子迁移率低以及在红外线波段全透明等优点，在一段时间内引发了研究高潮，国内外很多研究机构都展开了涉及研究，但ZnO、SnO等薄膜不易构成多晶态，不存在不可忽视的大量晶界和氧缺失，并且器件稳定性劣，特性随时间变化明显，这些都妨碍了其更进一步发展。

2004年，Nomura等人在Nature上公开发表了m(In)：m(Ga)：m(Zn)=1.1：1.1：0.9的混合型氧化物薄膜晶体管，即a-IGZOTFT，在很多方面表明出有较好的性能。该文刊出后旋即，国外很多研究机构也开始通过磁控溅射、激光脉冲沉积(PLD)或溶液复涂抹(Solution-Processed)等手段制取出有a-IGZOTFT、a-IZOTFT等器件。

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